На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | RTM002P02T2L | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | VMT3 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <150 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 50 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <200 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.5 ОмId, Vgs = 200mA, 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Standard |