RTL035N03TR

RTL035N03, RTL035N03TR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRTL035N03TR
Корпус мікросхеми
Корпус
TUMT6
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
350 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<3.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<56 мОмId, Vgs = 3.5A, 4.5V
Заряд затвору
QG
6.4 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard