RSS095N05FU6TB

RSS095N05, RSS095N05FU6TB

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRSS095N05FU6TB
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.83 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<45 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<16 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V
Заряд затвору
QG
26.5 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate