RSS060P05FU6TB

RSS060P05, RSS060P05FU6TB

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRSS060P05FU6TB
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.7 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<45 В
Постійний струм стоку
IDSS
<6 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<36 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Заряд затвору
QG
32.2 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate