RJP020N06T100

RJP020N06, RJP020N06T100

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRJP020N06T100
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<500 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
160 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<240 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V
Заряд затвору
QG
10 нCVgs = 4V
FET Feature
FET Feature
Standard