RFP12N10L

RFP12N10, RFP12N10L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRFP12N10L
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<60 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
900 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<12 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<200 мОмId, Vgs = 12A, 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate