На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | RFD3055LE | RFD3055LESM | RFD3055LESM9A | RFD3055SM | RFD3055SM9A | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <53 Вт | <53 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <11 А | <11 А | <12 А | <12 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <107 мОмId, Vgs = 8A, 5V | <107 мОмId, Vgs = 8A, 5V | <107 мОмId, Vgs = 8A, 5V | <150 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Заряд затвору | QG | 11.3 нCVgs = 10V | 11.3 нCVgs = 10V | 11.3 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 20V | 23 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |