На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | RFD16N05LSM | RFD16N05LSM9A | RFD16N05SM | RFD16N05SM9A | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <60 Вт | <60 Вт | <72 Вт | <72 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 900 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <50 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <47 мОмId, Vgs = 16A, 5V | <47 мОмId, Vgs = 16A, 5V | <47 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <47 мОмId, Vgs = 16A, 10V |
Заряд затвору | QG | 80 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 20V | 80 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |