RFD15P05

RFD15P05, RFD15P05SM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRFD15P05SM
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<80 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.15 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<50 В
Постійний струм стоку
IDSS
<15 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<150 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Заряд затвору
QG
150 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Standard