RFD14N05

RFD14N05, RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFD14N05LSM9A, RFD14N05SM, RFD14N05SM9A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRFD14N05LRFD14N05LSMRFD14N05LSM9ARFD14N05SMRFD14N05SM9A
Корпус мікросхеми
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab), DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<48 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
670 пФVds = 25V670 пФVds = 25V670 пФVds = 25V570 пФVds = 25V570 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<50 В
Постійний струм стоку
IDSS
<14 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<100 мОмId, Vgs = 14A, 5V<100 мОмId, Vgs = 14A, 5V<100 мОмId, Vgs = 14A, 5V<100 мОмId, Vgs = 14A, 10V<100 мОмId, Vgs = 14A, 10V
Заряд затвору
QG
40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 10V40 нCVgs = 20V40 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandard