RDN100N20

RDN100N20, RDN100N20FU6

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрRDN100N20FU6
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220FN-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Rohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<35 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
543 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<10 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<360 мОмId, Vgs = 5A, 10V
Заряд затвору
QG
30 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard