На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PSMN4R0-30YL,115 | PSMN4R0-40YS,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | LFPak-4 | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <69 Вт | <106 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.09 нФVds = 12V | 2.41 нФVds = 20V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <99 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <4.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Заряд затвору | QG | 36.6 нCVgs = 10V | 38 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |