На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PSMN057-200B,118 | PSMN057-200P,127 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220AB-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір |
Потужність | P | <250 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.75 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <39 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <57 мОмId, Vgs = 17A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 96 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |