На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PSMN009-100B,118 | PSMN009-100P,127 | PSMN009-100W,127 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220AB-3 | TO-247-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір |
Потужність | P | <230 Вт | <230 Вт | <300 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 8.25 нФVds = 25V | 8.25 нФVds = 25V | 9 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | <75 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <8.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | ||
Заряд затвору | QG | 156 нCVgs = 10V | 156 нCVgs = 10V | 214 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||