PSMN005-30K,518

PSMN005, PSMN005-25D,118, PSMN005-30K,518, PSMN005-55B,118, PSMN005-55P,127, PSMN005-75B,118, PSMN005-75P,127

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		PSMN005-25D,118	PSMN005-30K,518	PSMN005-55B,118	PSMN005-55P,127	PSMN005-75B,118	PSMN005-75P,127
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	8-SOIC (3.9mm Width)	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220AB-3	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220AB-3
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір
Потужність	P	<125 Вт	<3.5 Вт	<230 Вт	<230 Вт	<230 Вт	<230 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	3.5 нФVds = 20V	3.1 нФVds = 25V	6.5 нФVds = 25V	6.5 нФVds = 25V	8.25 нФVds = 25V	8.25 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<25 В	<30 В	<55 В	<55 В	<75 В	<75 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<75 А	<20 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<5.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<5.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V	<5.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<5.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<5 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<5 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchMOS™
Заряд затвору	Q_G	60 нCVgs = 5V	34 нCVgs = 4.5V	103 нCVgs = 5V	103 нCVgs = 5V	165 нCVgs = 10V	165 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard