PSMN004-36B,118

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		PSMN004-36B,118	PSMN004-55W,127	PSMN004-60B,118	PSMN004-60P,127
Корпус мікросхеми	Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-247-3	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220AB-3
Виробник	Виробник	NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Крізь отвір
Потужність	P	<230 Вт	<300 Вт	<230 Вт	<230 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	6 нФVds = 20V	13 нФVds = 25V	8.3 нФVds = 25V	8.3 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<36 В	<55 В	<60 В	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<75 А	<100 А	<75 А	<75 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<4 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<4.2 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<3.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V	<3.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серія MOSFET	Серія	TrenchMOS™
Заряд затвору	Q_G	97 нCVgs = 5V	226 нCVgs = 5V	168 нCVgs = 10V	168 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard