На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMV45EN,215 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <2 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 30V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <42 мОмId, Vgs = 2A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 9.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |