На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMR780SN,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <530 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 23 пФVds = 30V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <550 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <920 мОмId, Vgs = 300mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 1.05 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |