На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PMK30EP,518 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <6.9 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.24 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <14.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <19 мОмId, Vgs = 9.2A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |