На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PHU11NQ10T,127 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <57.7 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 360 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <10.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 14.7 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |