На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PHT4NQ10LT,135 | PHT4NQ10T,135 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <6.9 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 374 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 1.75A, 5V | <250 мОмId, Vgs = 1.75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 12.2 нCVgs = 5V | 7.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |