На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PHM18NQ15T,518 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-HVSON |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <62.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.15 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <19 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <75 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 26.4 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |