На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PHD16N03LT,118 | PHD16N03T,118 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <32.6 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 210 пФVds = 30V | 180 пФVds = 30V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <16 А | <13.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <67 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 13A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 8.5 нCVgs = 10V | 5.2 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |