На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PHB110NQ08LT,118 | PHB110NQ08T,118 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <230 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 6.631 нФVds = 25V | 4.86 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <75 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.5 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ | |
Заряд затвору | QG | 127.3 нCVgs = 10V | 113.1 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |