На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PH3855L,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | LFPak-4 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <50 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 765 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <24 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <36 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMOS™ |
Заряд затвору | QG | 11.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |