NTR4502PT1G

NTR4502P, NTR4502PT1, NTR4502PT1G, NTR4502PT3, NTR4502PT3G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTR4502PT1NTR4502PT1GNTR4502PT3NTR4502PT3G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<400 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
200 пФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<1.13 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<200 мОмId, Vgs = 1.95A, 10V
Заряд затвору
QG
10 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate