NTR1P02LT1

NTR1P02, NTR1P02LT1, NTR1P02LT1G, NTR1P02LT3G, NTR1P02T1, NTR1P02T1G, NTR1P02T3, NTR1P02T3G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTR1P02LT1NTR1P02LT1GNTR1P02LT3GNTR1P02T1NTR1P02T1GNTR1P02T3NTR1P02T3G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневий(не задано)ПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<400 мВт<400 мВт(не задано)<400 мВт<400 мВт<400 мВт<400 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
225 пФVds = 5V225 пФVds = 5V(не задано)165 пФVds = 5V165 пФVds = 5V165 пФVds = 5V165 пФVds = 5V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В<20 В(не задано)<20 В<20 В<20 В<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<1.3 А<1.3 А(не задано)<1 А<1 А<1 А<1 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-chP-ch(не задано)P-chP-chP-chP-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V<220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V(не задано)<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V<180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V
Заряд затвору
QG
5.5 нCVgs = 4V5.5 нCVgs = 4V(не задано)2.5 нCVgs = 5V2.5 нCVgs = 5V2.5 нCVgs = 5V2.5 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level Gate(не задано)Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate