На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTR1P02LT1 | NTR1P02LT1G | NTR1P02LT3G | NTR1P02T1 | NTR1P02T1G | NTR1P02T3 | NTR1P02T3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | (не задано) | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <400 мВт | <400 мВт | (не задано) | <400 мВт | <400 мВт | <400 мВт | <400 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 225 пФVds = 5V | 225 пФVds = 5V | (не задано) | 165 пФVds = 5V | 165 пФVds = 5V | 165 пФVds = 5V | 165 пФVds = 5V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | <20 В | (не задано) | <20 В | <20 В | <20 В | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.3 А | <1.3 А | (не задано) | <1 А | <1 А | <1 А | <1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | P-ch | (не задано) | P-ch | P-ch | P-ch | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V | <220 мОмId, Vgs = 750mA, 4.5V | (не задано) | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 5.5 нCVgs = 4V | 5.5 нCVgs = 4V | (не задано) | 2.5 нCVgs = 5V | 2.5 нCVgs = 5V | 2.5 нCVgs = 5V | 2.5 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | (не задано) | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |