NTR0202P

NTR0202P, NTR0202PLT1, NTR0202PLT1G, NTR0202PLT3G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTR0202PLT1NTR0202PLT1GNTR0202PLT3G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<225 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
70 пФVds = 5V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<400 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<800 мОмId, Vgs = 200mA, 10V
Заряд затвору
QG
2.18 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate