NTP5411N

NTP5411N, NTP5411NG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTP5411NG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<166 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.5 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<80 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<10 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Заряд затвору
QG
130 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard