На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTMS4P01R2 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <790 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.85 нФVds = 9.6V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <12 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 4.5A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |