На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTMS4800NR2G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <750 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 940 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.9 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 7.7 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |