NTMS4503NR2

NTMS4503N, NTMS4503NR2, NTMS4503NR2G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTMS4503NR2NTMS4503NR2G
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<930 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.4 нФVds = 16V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<28 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<8 мОмId, Vgs = 14A, 10V
Заряд затвору
QG
23 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate