На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTMS3P03R2 | NTMS3P03R2G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9mm Width) | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <730 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 750 пФVds = 24V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.34 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 3.05A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 25 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |