На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTMFS4839NHT1G | NTMFS4839NHT3G | NTMFS4839NT1G | NTMFS4839NT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 5-DFN, SO8 FL | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <870 мВт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.354 нФVds = 12V | 2.354 нФVds = 12V | 1.588 нФVds = 12V | 1.588 нФVds = 12V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 19.5 нCVgs = 4.5V | 19.5 нCVgs = 4.5V | 18 нCVgs = 4.5V | 18 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||