На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTMFS4835NT1G | NTMFS4835NT3G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 5-DFN, SO8 FL | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <890 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.1 нФVds = 12V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 39 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |