На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTLJS4149PTAG | NTLJS4149PTBG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-WDFN | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | (не задано) |
Потужність | P | <700 мВт | (не задано) |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 960 пФVds = 15V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | (не задано) |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.7 А | (не задано) |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | (не задано) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <62 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 4.5V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | (не задано) |