На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTLJS4114NT1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-WDFN |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <700 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 650 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |