На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTLJF3117PT1G | NTLJF3117PTAG | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-WDFN | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <710 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 531 пФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 2A, 4.5V | |
Заряд затвору | QG | 6.2 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) | |