NTJS4151PT1G

NTJS4151P, NTJS4151PT1, NTJS4151PT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTJS4151PT1NTJS4151PT1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
850 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<3.3 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<60 мОмId, Vgs = 3.3A, 4.5V
Заряд затвору
QG
10 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate