На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTGS3130NT1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <600 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 935 пФVds = 16V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <4.2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <24 мОмId, Vgs = 5.6A, 4.5A |
Заряд затвору | QG | 20.3 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |