На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTGD4169FT1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-TSOP |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <900 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 295 пФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 2.6A, 4.5V |
Заряд затвору | QG | 5.5 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Diode (Isolated) |