На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD85N02R | NTD85N02R-001 | NTD85N02R-1G | NTD85N02RG | NTD85N02RT4 | NTD85N02RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <1.25 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.05 нФVds = 20V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <24 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V | |||||
Заряд затвору | QG | 17.7 нCVgs = 5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||