На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD80N02-001 | NTD80N02-1G | NTD80N02G | NTD80N02T4 | NTD80N02T4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <75 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.6 нФVds = 20V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <24 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <80 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.8 мОмId, Vgs = 80A, 10V | ||||
Заряд затвору | QG | 42 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||