На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD70N03R | NTD70N03R-001 | NTD70N03R-1G | NTD70N03RG | NTD70N03RT4 | NTD70N03RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <1.36 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.333 нФVds = 20V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8 мОмId, Vgs = 20A, 10V | |||||
Заряд затвору | QG | 13.2 нCVgs = 5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||