На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD65N03R | NTD65N03R-001 | NTD65N03R-035 | NTD65N03R-1G | NTD65N03R-35G | NTD65N03RG | NTD65N03RT4 | NTD65N03RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <1.3 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.4 нФVds = 20V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <8.4 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||||||
Заряд затвору | QG | 16 нCVgs = 5V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||