На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD60N02R | NTD60N02R-035 | NTD60N02R-1G | NTD60N02R-35G | NTD60N02RG | NTD60N02RT4 | NTD60N02RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <1.25 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.33 нФVds = 20V | ||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <8.5 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V | ||||||
Заряд затвору | QG | 14 нCVgs = 4.5V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||