NTD4863N

NTD4863N, NTD4863N-1G, NTD4863N-35G, NTD4863NA-1G, NTD4863NA-35G, NTD4863NAT4G, NTD4863NT4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTD4863N-1GNTD4863N-35GNTD4863NA-1GNTD4863NA-35GNTD4863NAT4GNTD4863NT4G
Корпус мікросхеми
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, SC-630, SOT-223, TO-220-3, TO-225-3, TO-252 (2 leads+tab), TO-92DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвір(не задано)ПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<1.27 Вт<1.27 Вт<1.27 Вт(не задано)<1.27 Вт<1.27 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
990 пФVds = 12V990 пФVds = 12V990 пФVds = 12V(не задано)990 пФVds = 12V990 пФVds = 12V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<25 В<25 В<25 В(не задано)<25 В<25 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9.2 А<9.2 А<9.2 А(не задано)<9.2 А<9.2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-chN-chN-ch(не задано)N-chN-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V(не задано)<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвору
QG
13.5 нCVgs = 4.5V13.5 нCVgs = 4.5V13.5 нCVgs = 4.5V(не задано)13.5 нCVgs = 4.5V13.5 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate(не задано)Logic Level GateLogic Level Gate