На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD4857N-1G | NTD4857N-35G | NTD4857NA-1G | NTD4857NAT4G | NTD4857NT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | (не задано) | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <1.31 Вт | <1.31 Вт | (не задано) | <1.31 Вт | <1.31 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.96 нФVds = 12V | 1.96 нФVds = 12V | (не задано) | 1.96 нФVds = 12V | 1.96 нФVds = 12V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | <25 В | (не задано) | <25 В | <25 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | <12 А | (не задано) | <12 А | <12 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | N-ch | (не задано) | N-ch | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | (не задано) | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Заряд затвору | QG | 24 нCVgs = 4.5V | 24 нCVgs = 4.5V | (не задано) | 24 нCVgs = 4.5V | 24 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | (не задано) | Logic Level Gate | Logic Level Gate |