На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD4813N-1G | NTD4813N-35G | NTD4813NH-1G | NTD4813NH-35G | NTD4813NHT4G | NTD4813NT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <1.27 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 860 пФVds = 12V | 860 пФVds = 12V | 940 пФVds = 12V | 940 пФVds = 12V | 940 пФVds = 12V | 860 пФVds = 12V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <7.6 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||||
Заряд затвору | QG | 7.9 нCVgs = 4.5V | 7.9 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 10 нCVgs = 4.5V | 7.9 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||